发布日期 2020-10-19

深科技拟定增募资17.1亿元,用于存储先进封测与模组制造项目

原标题:深科技拟定增募资17.1亿元,用于存储先进封测与模组制造项目

集微网消息,10月18日,深科技发布2020年度非公开发行A股股票预案,公司拟非公开发行不超89,328,225股股票,募资不超171,000万元,扣除发行费用后将全部用于存储先进封测与模组制造项目。

据披露,存储先进封测与模组制造项目总投资306,726.40万元,其中建设投资296,471.17万元,铺底流动资金10,255.23万元。项目建设周期为36个月,主要建设内容为:

(1)DRAM存储芯片封装测试业务,计划全部达产后月均产能为4,800万颗

(2)存储模组业务,计划全部达产后月均产能为246万条模组

(3)NANDFlash存储芯片封装业务,计划全部达产后月均产能为320万颗

本项目技术来源于沛顿科技自主研发与长期积累,沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术,如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等,现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术,最大单颗芯片容量可达到256G。

沛顿科技具备DDR4封装和测试技术,采用的BGA、LGA等封装技术优势明显,产品合格率高,交货周期快,产品质量稳定,领先于国内其他竞争对手;沛顿科技的日本研发团队开发测试方案和程式,提供定制化服务的支持,技术工艺竞争优势明显。

深科技表示,随着本次募投项目的实施,有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒,加速存储器国产化替代进程,提升国产存储器芯片的产业规模,促进我国存储器产业链发展。

本项目实施后,可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以及DRAM内存模组制造业务,有助于国内存储器芯片封测的深度国产化。公司根据客户整体产能建设的需要,契合客户业务布局,对公司建立长期稳定的客户关系起到积极作用。客户产能的逐步提升将直接带动公司集成电路封测业务的订单增加。本次募投项目实施后的新增产能加上公司现有产能,将为存储器芯片国产化提供保障。

(校对/GY)

聚合阅读